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主要職責(zé)：
1、負(fù)責(zé)把控碳化硅晶體生長工藝，優(yōu)化工藝參數(shù)，保證長晶設(shè)備的正常操作運(yùn)行；
2、負(fù)責(zé)測試及分析樣品的基本物理特性，通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)、優(yōu)化晶體物理性質(zhì)；
3、負(fù)責(zé)長晶過程控制和失效分析，完成設(shè)備故障處理及標(biāo)準(zhǔn)化操作流程；
4、負(fù)責(zé)并完成公司的研發(fā)項(xiàng)目，參與客戶及商業(yè)合作伙伴的合作與溝通；
5、負(fù)責(zé)開發(fā)新工藝、新技術(shù)，并進(jìn)行長晶團(tuán)隊(duì)的搭建和人才培養(yǎng)。
任職要求：
1、具備電子、物理、材料或半導(dǎo)體等相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷；
2、擁有資深的第三代半導(dǎo)體碳化硅SIC晶體生長經(jīng)驗(yàn)，對碳化硅SIC晶體的生長工藝、外延、器件物理、材料特性表征及DOE (Design of Experiment)方面具有較深厚的知識儲備；
3、有半導(dǎo)體制造行業(yè)及潔凈室經(jīng)驗(yàn)，具備新材料及新產(chǎn)品的開發(fā)、轉(zhuǎn)化生產(chǎn)等能力；
4、工作責(zé)任心強(qiáng)，具領(lǐng)導(dǎo)潛質(zhì)，具有良好的組織領(lǐng)導(dǎo)能力，對外能勝任與客戶及商業(yè)合作伙伴的溝通與協(xié)調(diào)；
5、有真空、CVD (Chemical Vapor Deposition)鍍膜工藝基本知識，具備氮化鎵外延工藝及設(shè)備的調(diào)試實(shí)習(xí)者優(yōu)先。